Лекции

Физические основы электроники. Часть 1


1. КЛАССИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

2. ОСНОВНЫЕ ТИПЫ МАТЕРИАЛОВ, ПРИМЕНЯЕМЫХ В ЭЛЕКТРОНИКЕ
2.1. Проводники
2.2. Диэлектрики
2.3. Полупроводники
2.4. Зонная теория

3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
3.1. Внутренняя структура безпримесных полупроводников
3.1.1. Электронная проводимость
3.1.2. Дырочная проводимость
3.2. Внутренняя структура примесных полупроводников
3.2.1. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках

4. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД
4.1.1. Дрейф неосновных носителей. Образование электронно-дырочного перехода
4.1.2. Прямое включение электронно-дырочного перехода
4.1.3. Обратное включение электронно-дырочного перехода
4.1.4. Вольтамперная характеристика электронно-дырочного перехода
4.1.5. Пробой p-n перехода
4.1.6. Емкостные свойства электронно-дырочного перехода
4.1.7. Эквивалентная схема электронно-дырочного перехода
4.2. Переход Шоттки
4.2.1. Прямое и обратное включение диодов Шоттки
4.2.2. Достоинства и недостатки перехода Шоттки

5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
5.1. Полупроводниковый диод
5.2. Основные типы диодов
5.2.1. Выпрямительные диоды
5.2.2. Применение выпрямительных диодов
5.2.3. Стабилитроны
5.2.4. Основные параметры стабилитрона
5.2.5. Простейший стабилизатор напряжения на стабилитроне
5.2.6. Высокочастотные диоды
5.3. Биполярные транзисторы
5.3.1. Общие сведения о биполярном транзисторе
5.3.2. Режимы работы транзистора
5.3.3. Принцип работы биполярного транзистора
5.3.4. Схемы включения биполярного транзистора
5.3.5. Классическая модель Эберса-Молла
5.3.6. Модели для активного режима работы транзистора
5.3.7. Статические характеристики биполярного транзистора
5.3.8. Статические характеристики в схеме ОБ
5.3.9. Статические характеристики в схеме ОЭ
5.3.10. Влияние температуры на работу биполярного транзистора
5.3.11. Пробой биполярного транзистора
5.4. Тиристор
5.4.1. Вольтамперная характеристика тиристора
5.4.2. Свойства тиристора в закрытом состоянии
5.4.3. Принцип отпирания с помощью управляющего электрода
5.4.4. Отключение тиристора
5.4.5. Характеристики тиристоров
5.5. Динистор
5.6. Полевой транзистор
5.7. Транзисторы с управляющим p-n переходом
5.8. Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)
5.8.1. МДП-транзисторы с индуцированным каналом
5.8.2. МДП-транзисторы со встроенным каналом
5.8.3. Области применения полевых транзисторов
5.9. IGBT-транзисторы
5.9.1. История создания IGBT
5.9.2. Эквивалентная схема IGBT
5.9.3. Применение IGBT-транзисторов

6. УСИЛИТЕЛИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ
6.1. Общие сведения об усилителях электрических сигналов, их основных параметрах и характеристиках
6.2. Основные характеристики усилителей
6.3. Искажения в усилителях
6.4. Обратные связи в схемах усилителей

7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ТРАНЗИСТОРАХ
7.1. Основные режимы работы транзистора
7.2. Основные схемы включения транзисторных каскадов
7.3. Режимы работы транзистора в усилительных каскадах
7.4. Расчет режимов работы транзисторного каскада по схеме с ОЭ
7.5. Задание и стабилизация рабочей точки
7.6. Усилители с емкостной связью на транзисторах. Схема с общим эмиттером в области средних частот
7.7. Усилитель с ОЭ в области низких частот
7.8. Эквивалентная схема транзистора на высоких частотах
7.9. Усилитель с ОЭ в области высоких частот
7.10. Усилитель по схеме ОБ
7.11. Особенности усилителя ОБ в области высоких частот
7.12. Эмиттерный повторитель

8. УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ
8.1. Общие сведения об усилителях мощности
8.2. Однотактные выходные каскады на транзисторах
8.3. Двухтактные усилители мощности
8.4. Принцип работы бестрансформаторного усилителя мощности
8.5. Энергетические характеристики оконечного каскада
8.6. Режим АВ для усилителя мощности
8.7. Составные транзисторы в усилителях мощности

9. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
9.1. Общие сведения
9.2. Основные параметры ОУ
9.3. Применение операционных усилителей
9.4. Схемы сложения - вычитания на ОУ
9.5. Интегратор на ОУ
9.6. Дифференциатор на ОУ
9.7. Логарифмические преобразователи на ОУ

Л И Т Е Р А Т У Р А


Конспект лекций в формате pdf и слайды к лекциям находятся в приложении к странице.

Программа моделирования электронных схем Micro-Cap 9 -   MC9.rar

ИНСТРУКЦИЯ ПО УСТАНОВКЕ MICRO-CAP 9
Скопируйте архив MC9.rar в корневую директорию диска C: и разверните его в "текущую папку" (!!!). После разворачивания исполнимый модуль MC9.exe должен находиться в C:\MC9\, пути для такого расположения уже прописаны. Можно работать. Ваши вновь созданные схемы по умолчанию запишутся в каталог C:\MC9\STUDENT.

Краткое описание работы с Micro-Cap 9: Micro-Cap экскурс.pdf

Ċ
Сергей Амелин,
7 апр. 2011 г., 11:20
Ċ
Сергей Амелин,
3 мар. 2011 г., 23:45
Comments